หลัว เว่ยเว่ย และ Innoscience: อดีตนักวิทยาศาสตร์ NASA ขับเคลื่อนความทะเยอทะยานด้านเซมิคอนดักเตอร์ของจีนด้วย GaN อย่างไร

บทนำ: ขุมพลังใหม่ในการแข่งขันชิป

ในการแข่งขันระดับโลกเพื่อชิงความเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยี เรื่องราวของ ดร. หลัว เว่ยเว่ย และบริษัท Innoscience นับเป็นหนึ่งในเรื่องราวที่น่าจับตาที่สุด หลัวเคยเป็นนักวิทยาศาสตร์ของ NASA ก่อนจะก้าวขึ้นมาเป็นบุคคลสำคัญในความพยายามของจีนที่จะพึ่งพาตนเองด้านเซมิคอนดักเตอร์ โดยเป็นผู้นำบริษัทที่ปัจจุบันเป็นผู้ผลิตอุปกรณ์กำลังแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) โดยเฉพาะรายใหญ่ที่สุดของโลก ขณะที่สหรัฐฯ และจีนกำลังแยกห่วงโซ่อุปทานด้านเทคโนโลยีชิปขั้นสูง การเติบโตของ Innoscience ซึ่งได้รับเลือกให้เป็นซัพพลายเออร์สำหรับศูนย์ข้อมูล AI รุ่นถัดไปของ Nvidia สะท้อนถึงการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในภูมิทัศน์อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

หลัว เว่ยเว่ย คือใคร?

เส้นทางชีวิตของ ดร. หลัว เว่ยเว่ย โดดเด่นอย่างยิ่ง เธอจบปริญญาเอกด้านคณิตศาสตร์ประยุกต์จาก Massey University และทำงานที่ NASA นาน 15 ปี โดยพัฒนาเทคโนโลยีการบินและอวกาศจนได้รับการยอมรับในฐานะนักวิทยาศาสตร์ชั้นนำ ในปี 2015 หลัวเดินทางกลับจีนและก่อตั้ง Innoscience ที่เมืองจูไห่ พร้อมวิสัยทัศน์อันมุ่งมั่นที่จะผลักดันให้จีนเป็นผู้นำในยุคใหม่ของอิเล็กทรอนิกส์กำลัง โดยเดิมพันกับ GaN ซึ่งเป็นวัสดุที่มีศักยภาพพลิกโฉมอุตสาหกรรม

การตัดสินใจของเธอมีทั้งมิติด้านยุทธศาสตร์และความรักชาติ เมื่อสหรัฐฯ เพิ่มความเข้มงวดในการจำกัดการส่งออกชิปไปยังจีน หลัวมองเห็นโอกาสที่จะเติมเต็มช่องว่างและขับเคลื่อนนวัตกรรมจากภายในประเทศ ปัจจุบันเธอดำรงตำแหน่งประธานของ Innoscience และนำพาบริษัทเติบโตอย่างรวดเร็วในตลาดที่มีการแข่งขันสูง

แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) คืออะไร และสำคัญอย่างไร?

แกลเลียมไนไตรด์เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบนด์แกปกว้าง ซึ่งมีข้อได้เปรียบหลายประการเหนือซิลิคอนแบบดั้งเดิม อุปกรณ์ GaN ทำงานได้ที่แรงดันไฟฟ้า ความถี่ และอุณหภูมิสูงกว่า จึงเหมาะกับงานที่ต้องการประสิทธิภาพและความหนาแน่นกำลังสูง เช่น ศูนย์ข้อมูล AI รถยนต์ไฟฟ้า และระบบพลังงานหมุนเวียน

เมื่อเทียบกับซิลิคอน GaN มีคุณสมบัติดังนี้:

• การสูญเสียขณะปิดสวิตช์ต่ำลงได้ถึง 15 เท่า
• การสูญเสียขณะเปิดสวิตช์ต่ำลง 3 เท่า
• ความถี่ในการสวิตช์สูงกว่า ช่วยให้ระบบมีขนาดเล็กลง น้ำหนักเบาขึ้น และมีประสิทธิภาพมากขึ้น
• ใช้พลังงานน้อยลงและลดการปล่อย CO2

คุณสมบัติเหล่านี้กำลังพลิกโฉมอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ช่วยให้การออกแบบมีขนาดกะทัดรัดขึ้น สามารถผลิตแบบอัตโนมัติ และมีสมรรถนะที่เป็นมาตรฐาน ดังที่ ดร. หลัว กล่าวในการประชุม IPF 2025 ว่า “เทคโนโลยี GaN มีความสำคัญต่อการพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ โดยทำให้ระบบมีขนาดเล็กลงและมีประสิทธิภาพมากขึ้น ช่วยประหยัดพลังงานไฟฟ้า ลดต้นทุน และลดการปล่อย CO2”

ความก้าวหน้าของ Innoscience: จากเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้วสู่ผู้นำระดับโลก

ความสำเร็จที่สำคัญที่สุดของ Innoscience คือการบุกเบิกการผลิตเวเฟอร์ GaN บนซิลิคอนขนาด 8 นิ้วในปริมาณมาก ซึ่งช่วยเพิ่มผลผลิตชิป 80% และลดต้นทุนต่อหน่วย 30% เมื่อเทียบกับเวเฟอร์ขนาด 6 นิ้วซึ่งเป็นมาตรฐานอุตสาหกรรม ความก้าวหน้านี้ทำให้ Innoscience เป็นบริษัทเดียวในโลกที่สามารถผลิตผลิตภัณฑ์ GaN ได้ครอบคลุมช่วงแรงดันไฟฟ้าทั้งหมดในระดับอุตสาหกรรม

Innoscience ดำเนินงานตามรูปแบบผู้ผลิตอุปกรณ์แบบครบวงจร (IDM) โดยควบคุมทุกขั้นตอน ตั้งแต่การออกแบบชิป การผลิตเวเฟอร์ การบรรจุหีบห่อ ไปจนถึงการทดสอบความน่าเชื่อถือ การบูรณาการในแนวดิ่งนี้เอื้อต่อนวัตกรรมที่รวดเร็ว อัตราผลผลิตสูง (มากกว่า 95% ณ ปลายปี 2024) และความยืดหยุ่นเมื่อเผชิญกับการหยุดชะงักของห่วงโซ่อุปทาน

ในปี 2024 กำลังการผลิตเวเฟอร์ GaN รายเดือนของ Innoscience แตะ 13,000 แผ่น โดยมีฐานการผลิตในซูโจวและจูไห่ ผลิตภัณฑ์ของบริษัทถูกนำไปใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค พลังงานลม ระบบอัตโนมัติในภาคอุตสาหกรรม อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ และโดยเฉพาะอย่างยิ่งศูนย์ข้อมูล AI ซึ่งความต้องการชิปประสิทธิภาพสูงที่รองรับกำลังไฟสูงกำลังเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว

Innoscience และ Nvidia: ความร่วมมือเชิงยุทธศาสตร์

ในเดือนสิงหาคม 2025 Nvidia แต่งตั้ง Innoscience เป็นซัพพลายเออร์จีนเพียงรายเดียวสำหรับสถาปัตยกรรมระบบจ่ายไฟ 800 VDC ขั้นสูง ซึ่งใช้ขับเคลื่อนศูนย์ข้อมูล AI รุ่นถัดไป การเคลื่อนไหวนี้ได้รับความสนใจจากทั่วโลก เนื่องจาก Nvidia เป็นบริษัทชั้นนำที่สะท้อนทิศทางของอุตสาหกรรมฮาร์ดแวร์ AI อุปกรณ์ GaN รุ่นที่สามของ Innoscience มอบโซลูชันระบบจ่ายไฟแบบครบวงจรให้ Nvidia ครอบคลุมแรงดันไฟฟ้าตั้งแต่ 15 V ถึง 1200 V

แม้ความร่วมมือยังอยู่ในขั้นทดสอบและยังไม่มีคำสั่งซื้ออย่างเป็นทางการ แต่ก็สะท้อนถึงความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของ Innoscience และอิทธิพลที่เพิ่มขึ้นของจีนในห่วงโซ่อุปทานเซมิคอนดักเตอร์โลก การได้รับเลือกครั้งนี้มีความสำคัญเป็นพิเศษ เมื่อพิจารณาถึงข้อพิพาททางกฎหมายที่ยังดำเนินอยู่ระหว่าง Innoscience กับ Infineon Technologies ซึ่งเป็นพันธมิตรสำคัญอีกรายของ Nvidia

ระบบนิเวศเซมิคอนดักเตอร์ของจีนที่ขยายตัว

การเติบโตของ Innoscience ไม่ได้เกิดขึ้นอย่างโดดเดี่ยว ห่วงโซ่อุปทานของบริษัทประกอบด้วยบริษัทจีนหลายแห่ง ได้แก่ JCET ซึ่งรับผิดชอบการบรรจุหีบห่อชิป San’an Optoelectronics สำหรับวัสดุรองพื้นแซฟไฟร์ความบริสุทธิ์สูง และ Naura Technology สำหรับอุปกรณ์ MOCVD ซึ่งจำเป็นต่อการสร้างชั้นเอพิแทกซีของ GaN ความร่วมมือเหล่านี้สะท้อนถึงความก้าวหน้าและการพึ่งพาตนเองที่เพิ่มขึ้นของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีน

พันธมิตรในอุตสาหกรรมและการขยายธุรกิจทั่วโลก

Innoscience ยังสร้างพันธมิตรในระดับนานาชาติด้วย ในเดือนเมษายน 2025 บริษัทลงนามข้อตกลงสำคัญกับ STMicroelectronics (ST) ซึ่งเปิดทางให้ทั้งสองบริษัทใช้กำลังการผลิตเวเฟอร์ GaN ของอีกฝ่ายได้ ความร่วมมือนี้มีเป้าหมายเพื่อเร่งการนำเทคโนโลยี GaN ไปใช้ทั่วโลก และเพิ่มความยืดหยุ่นของห่วงโซ่อุปทานให้แก่ลูกค้า

ดร. หลัว เว่ยเว่ย กล่าวถึงความร่วมมือครั้งนี้ว่า: “ความร่วมมือระหว่าง ST และ Innoscience จะช่วยขยายและเร่งการนำเทคโนโลยี GaN ไปใช้ให้มากขึ้น ทีมงานของ Innoscience และ ST จะร่วมกันพัฒนาเทคโนโลยี GaN รุ่นต่อไป”

Innoscience เริ่มดำเนินธุรกิจในต่างประเทศ ทั้งในสหรัฐฯ และยุโรป เมื่อปี 2022 และเป้าหมายการเติบโตระดับโลกของบริษัทก็ชัดเจน เมื่อ TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) วางแผนถอนตัวจากธุรกิจรับจ้างผลิตเวเฟอร์ GaN ภายในปี 2027 คาดว่าตำแหน่งทางการตลาดของ Innoscience จะแข็งแกร่งยิ่งขึ้น

ข้อพิพาททางกฎหมายและความท้าทายในตลาด

การเติบโตอย่างรวดเร็วของ Innoscience ไม่ได้ปราศจากข้อโต้แย้ง ในเดือนกรกฎาคม 2023 คณะกรรมาธิการการค้าระหว่างประเทศของสหรัฐฯ (USITC) เริ่มสอบสวน Innoscience หลัง Efficient Power Conversion (EPC) ยื่นเรื่องร้องเรียนเกี่ยวกับสิทธิบัตร ในเดือนพฤศจิกายน 2024 USITC วินิจฉัยว่า Innoscience ละเมิดสิทธิบัตรของ EPC และออกคำสั่งห้ามนำเข้าชิปบางรายการในวงจำกัด Innoscience ยื่นอุทธรณ์ และในเดือนมีนาคม 2025 ก็ได้รับชัยชนะทางกฎหมาย เมื่อคณะกรรมการพิจารณาคดีและอุทธรณ์สิทธิบัตรเพิกถอนข้อถือสิทธิของ EPC

ขณะเดียวกัน Infineon Technologies ได้เริ่มฟ้องร้อง Innoscience หลายคดีในสหรัฐฯ และเยอรมนี โดยกล่าวหาว่าละเมิดสิทธิบัตร Innoscience ยื่นฟ้องกลับในจีน สะท้อนให้เห็นว่าการแข่งขันเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกมีความขัดแย้งมากขึ้น

อีกหนึ่งความท้าทายคือความสามารถในการทำกำไร แม้ Innoscience ครองส่วนแบ่งตลาดอุปกรณ์กำลัง GaN ทั่วโลก 29.9% ในปี 2024 และมีรายได้สูงเป็นอันดับหนึ่งในปี 2023 ด้วยส่วนแบ่งตลาด 33.7% แต่บริษัทยังคงขาดทุนจากการลงทุนด้านการวิจัยและพัฒนาในระดับสูง รวมถึงการตั้งราคาเชิงรุก มีรายงานว่าราคาที่เสนอขายอยู่ที่ประมาณครึ่งหนึ่งของบริษัท GaN ระดับโลกอื่น ๆ ซึ่งทำให้เกิดความกังวลว่าอาจเกิดสงครามราคาและส่งผลกระทบต่ออุตสาหกรรม

การเสนอขายหุ้น IPO และโครงสร้างองค์กร

การเติบโตของ Innoscience ถึงจุดสำคัญเมื่อบริษัทเสนอขายหุ้นแก่ประชาชนทั่วไปเป็นครั้งแรก (IPO) ในตลาดหลักทรัพย์ฮ่องกงได้สำเร็จในเดือนธันวาคม 2024 ระดมทุนได้ 1.4 พันล้านดอลลาร์ฮ่องกง และมีมูลค่าบริษัท 27,000 ล้านดอลลาร์ฮ่องกง คณะกรรมการบริษัทมี ดร. หลัว เว่ยเว่ย เป็นผู้นำ โดยเธอควบคุมหุ้นมากกว่าหนึ่งในสามของบริษัทผ่านข้อตกลงการถือหุ้นหลายรูปแบบ นักลงทุนรายใหญ่ประกอบด้วย China Merchants Bank, Wujiang Industrial Investment, SK Inc. ของเกาหลีใต้ และกองทุนที่ได้รับการสนับสนุนจากภาครัฐหลายแห่ง สะท้อนความเชื่อมั่นต่อแนวโน้มของ Innoscience ทั้งจากในประเทศและต่างประเทศ

รายได้ของบริษัทเติบโตอย่างรวดเร็ว จาก 68 ล้านหยวนในปี 2021 เป็น 593 ล้านหยวนในปี 2023 อย่างไรก็ตาม บริษัทยังคงขาดทุนสุทธิจากการลงทุนอย่างต่อเนื่องในกำลังการผลิตและเทคโนโลยี

วิสัยทัศน์ของ Innoscience: “ยุคชิป” ของอิเล็กทรอนิกส์กำลัง

หัวใจของยุทธศาสตร์ Innoscience คือวิสัยทัศน์ของ ดร. หลัว ที่มองเห็น “ยุคชิป” สำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง เธอคาดหวังถึงอนาคตที่เทคโนโลยี GaN จะช่วยให้อุตสาหกรรมเปลี่ยนจากการประกอบด้วยมือสู่ระบบอัตโนมัติ และจากโซลูชันที่กระจัดกระจายสู่การผลิตที่เป็นมาตรฐานและขับเคลื่อนด้วยวิทยาศาสตร์ การติดตั้งอุปกรณ์แบบพาสซีฟลงบนแผงวงจรพิมพ์และการใช้ประโยชน์จากการผลิตอัตโนมัติจะช่วยให้ระบบ GaN มีสมรรถนะที่คาดการณ์ได้ ต้นทุนต่ำลง และความน่าเชื่อถือสูงขึ้น

วิสัยทัศน์นี้กำลังเกิดขึ้นจริงแล้วในภาคธุรกิจต่าง ๆ เช่น เซิร์ฟเวอร์ AI รถยนต์ไฟฟ้า และหุ่นยนต์ ซึ่งประสิทธิภาพและความหนาแน่นกำลังสูงของ GaN กำลังเปิดทางสู่ความเป็นไปได้ใหม่ ๆ ดังที่ ดร. หลัว กล่าวในการประชุม IPF 2025 ว่า “GaN ช่วยให้อุตสาหกรรมเปลี่ยนจากงานฝีมือสู่หลักวิทยาศาสตร์ จากการประกอบด้วยมือสู่ระบบอัตโนมัติ และจากความกระจัดกระจายสู่มาตรฐาน ซึ่งเป็นสัญญาณของการมาถึงของยุคชิปสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง”

ผลกระทบในวงกว้าง: ความพยายามของจีนในการพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยี

เรื่องราวของ Innoscience เป็นภาพสะท้อนความพยายามในวงกว้างของจีนที่จะพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยี เมื่อความตึงเครียดทางภูมิรัฐศาสตร์และมาตรการควบคุมการส่งออกสร้างความปั่นป่วนให้ห่วงโซ่อุปทานโลก จีนกำลังลงทุนอย่างหนักในนวัตกรรมและการผลิตภายในประเทศ ความสำเร็จของ Innoscience ในด้าน GaN ซึ่งเป็นสาขาที่สหรัฐฯ และยุโรปเป็นผู้นำมาแต่เดิม แสดงให้เห็นถึงศักยภาพของจีนในการก้าวกระโดดด้านเทคโนโลยียุทธศาสตร์

คาดว่าตลาดอุปกรณ์กำลัง GaN ทั่วโลกจะมีมูลค่า 4.376 พันล้านดอลลาร์สหรัฐภายในปี 2030 โดยมีอัตราการเติบโตเฉลี่ยต่อปีแบบทบต้นเกือบ 50% เมื่อความต้องการชิปประสิทธิภาพสูงที่รองรับกำลังไฟสูงเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว Innoscience จึงอยู่ในตำแหน่งที่พร้อมจะกำหนดอนาคตของอิเล็กทรอนิกส์กำลัง และส่งผลต่อเนื่องไปถึงเศรษฐกิจดิจิทัล

สรุป

• ดร. หลัว เว่ยเว่ย อดีตนักวิทยาศาสตร์ของ NASA ก่อตั้ง Innoscience ในปี 2015 และเป็นแรงขับเคลื่อนความเป็นผู้นำของจีนด้านเซมิคอนดักเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN)
• Innoscience บุกเบิกการผลิตเวเฟอร์ GaN บนซิลิคอนขนาด 8 นิ้วในปริมาณมาก ช่วยเพิ่มผลผลิตและลดต้นทุน
• บริษัทเป็นผู้ผลิต GaN โดยเฉพาะรายใหญ่ที่สุดของโลก และเป็นซัพพลายเออร์สำคัญสำหรับศูนย์ข้อมูล AI รุ่นถัดไปของ Nvidia
• Innoscience ดำเนินงานตามรูปแบบ IDM โดยควบคุมกระบวนการผลิตทั้งหมดเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและความยืดหยุ่น
• ข้อพิพาททางกฎหมายและการตั้งราคาเชิงรุกเป็นความท้าทายของบริษัท แต่ Innoscience ยังคงเป็นผู้นำตลาดเมื่อพิจารณาจากรายได้และส่วนแบ่งตลาด
• การเสนอขายหุ้น IPO ในฮ่องกงของบริษัทระดมทุนได้ 1.4 พันล้านดอลลาร์ฮ่องกง สะท้อนความเชื่อมั่นอย่างสูงจากนักลงทุน
• วิสัยทัศน์ “ยุคชิป” ของ ดร. หลัว กำลังพลิกโฉมอิเล็กทรอนิกส์กำลัง โดยการใช้ GaN ขยายตัวไปในอุตสาหกรรมหลากหลายประเภท
• การเติบโตของ Innoscience สะท้อนการพึ่งพาตนเองด้านเทคโนโลยีของจีนที่เพิ่มขึ้น ท่ามกลางความตึงเครียดในห่วงโซ่อุปทานโลก