นักวิจัยจีนทำแผนที่โมเลกุลโฟโตรีซิสต์ อ้างลดข้อบกพร่องในการผลิตชิปขั้นสูงได้ 99%

เหตุใดข้อมูลเชิงลึกใหม่นี้เกี่ยวกับโฟโตรีซิสต์จึงสำคัญ

นักวิจัยจีนระบุว่า พวกเขาสังเกตพฤติกรรมของโมเลกุลโฟโตรีซิสต์ในฟิล์มของเหลวที่ใช้ระหว่างการพิมพ์ลายวงจรบนชิปได้โดยตรง และนำข้อมูลดังกล่าวไปพัฒนาวิธีแก้ไขที่พร้อมใช้ในโรงงาน ซึ่งช่วยลดข้อบกพร่องได้อย่างมาก งานวิจัยนี้นำโดยทีมจากมหาวิทยาลัยปักกิ่งร่วมกับพันธมิตรภาคอุตสาหกรรม และเผยแพร่ในวารสาร Nature Communications เมื่อวันที่ 30 กันยายน 2025 ทีมวิจัยรายงานว่า ระเบียบวิธีของพวกเขาลดคราบพอลิเมอร์บนเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วได้สูงสุด 99 เปอร์เซ็นต์ ภายใต้สภาวะการผลิตจริง ซึ่งอาจช่วยเพิ่มอัตราผลผลิตสำหรับโหนดกระบวนการขนาด 7 นาโนเมตรและเล็กกว่า

โฟโตรีซิสต์คือสารเคลือบไวแสงที่ใช้กำหนดลวดลายของทรานซิสเตอร์และสายไฟบนเวเฟอร์ซิลิคอน ระหว่างการพิมพ์ภาพด้วยแสง เครื่องสแกนจะฉายภาพวงจรลงบนโฟโตรีซิสต์ บริเวณที่ถูกแสงจะเปลี่ยนความสามารถในการละลาย จากนั้นจึงล้างและทำความสะอาดเพื่อเผยลวดลาย คราบตกค้างหรือชั้นสกปรกบาง ๆ ที่หลงเหลืออยู่แม้เพียงเล็กน้อย อาจทำให้สายไฟฟ้าลัดวงจร จุดเชื่อมต่อขาด และเกิดความเสียหายในขั้นตอนถัดไป เมื่อถึงโหนดขั้นสูงที่มีสายไฟแคบและช่องว่างจำกัด แม้โมเลกุลเพียงไม่กี่กลุ่มในตำแหน่งที่ไม่ควรก็อาจทำให้ไดเสียได้

จีนพึ่งพาการนำเข้าโฟโตรีซิสต์อย่างมาก โดยเฉพาะผลิตภัณฑ์ระดับสูง การพึ่งพานี้เป็นเหตุผลหนึ่งที่โรงงานผลิตชิปในประเทศประสบปัญหาในการเพิ่มอัตราผลผลิตสำหรับโหนดขั้นสูงที่สุด นับตั้งแต่ปี 2019 เครื่องสแกนรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วระดับแนวหน้าของ ASML ถูกห้ามจำหน่ายในตลาดจีน ผู้ผลิตชิปจีนจึงใช้การพิมพ์ลายด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตระดับลึกหลายรอบเพื่อให้ได้ลวดลายระดับ 7 นาโนเมตร วิธีดังกล่าวทำให้โฟโตรีซิสต์มีบทบาทมากขึ้น เพราะเวเฟอร์ต้องผ่านการฉายแสง การล้างลวดลาย และการทำความสะอาดแบบเปียกซ้ำหลายครั้งตลอดหลายสิบขั้นตอน การลดข้อบกพร่องแบบสุ่มไม่ว่ามากน้อยเพียงใด ย่อมช่วยเพิ่มจำนวนชิปที่ใช้งานได้ต่อเวเฟอร์

นักวิจัยทำอะไรบ้าง

ทีมจากมหาวิทยาลัยปักกิ่งใช้เทคนิคเอกซเรย์คอมพิวเตอร์ด้วยอิเล็กตรอนแบบแช่แข็ง (cryo electron tomography) ตรวจฟิล์มโฟโตรีซิสต์ขณะที่พอลิเมอร์ยังอยู่ในสภาพแวดล้อมของเหลวดั้งเดิม วิธีถ่ายภาพนี้ทำให้ตัวอย่างบาง ๆ แข็งตัวอย่างรวดเร็วมาก เพื่อตรึงโมเลกุลไว้กับที่ จากนั้นใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านบันทึกภาพจากหลายมุมเอียง ซอฟต์แวร์จะนำภาพมาสร้างแผนที่สามมิติที่มีความละเอียดระดับนาโนเมตร ด้วยวิธีนี้ นักวิจัยมองเห็นการจัดเรียงและการเกี่ยวพันกันของพอลิเมอร์โฟโตรีซิสต์ทั้งภายในฟิล์มและบริเวณรอยต่อระหว่างก๊าซกับของเหลว ระหว่างการล้างลวดลายและการชะล้าง

ภาพดังกล่าวเมื่อประกอบกับการทดลองกระบวนการผลิต ชี้ให้เห็นแหล่งที่มาของคราบตกค้างซึ่งก่อนหน้านี้ซ่อนอยู่ สายพอลิเมอร์ยาวอาจพันกันเป็นปมบริเวณผิวด้านบนของฟิล์มใกล้รอยต่อ ก่อนจะติดค้างในส่วนเว้าของลวดลายระหว่างการชะล้างและการทำให้แห้ง จากข้อมูลแผนที่ ทีมวิจัยจึงคิดค้นระเบียบวิธีเพื่อยับยั้งการเกี่ยวพันกันของพอลิเมอร์บริเวณรอยต่อ โดยรายงานว่า การเปลี่ยนแปลงนี้กำจัดข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับคราบตกค้างได้เกือบทั้งหมดในการผลิตระดับอุตสาหกรรมบนเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้ว

จากชีววิทยาสู่การผลิตชิป: เอกซเรย์คอมพิวเตอร์ด้วยอิเล็กตรอนแบบแช่แข็งคืออะไร

เอกซเรย์คอมพิวเตอร์ด้วยอิเล็กตรอนแบบแช่แข็ง ซึ่งมักเรียกย่อว่า cryo ET พัฒนาขึ้นในสาขาชีววิทยาเชิงโครงสร้าง เพื่อถ่ายภาพโปรตีนและเซลล์ในรูปทรงตามธรรมชาติ ตัวอย่างจะถูกทำให้กลายเป็นแก้ว หมายถึงน้ำและตัวทำละลายแข็งตัวอยู่ในสภาพคล้ายแก้วโดยไม่ก่อผลึกที่จะรบกวนโครงสร้าง จากนั้นนำภาพอิเล็กตรอนที่ถ่ายจากหลายมุมเอียงมาสร้างเป็นปริมาตรสามมิติ ข้อได้เปรียบสำคัญคือโมเลกุลยังคงอยู่ในตำแหน่งเดิม โดยไม่ต้องทำให้แห้งหรือย้อมสี ซึ่งอาจทำให้โครงสร้างเปราะบางเคลื่อนที่หรือเสียหายได้ การนำ cryo ET มาใช้กับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เปิดทางให้นักวิจัยสังเกตพอลิเมอร์ที่ปกติจะเคลื่อนไหวและจัดเรียงตัวใหม่ในสารละลาย และจับภาพได้ในขณะที่พอลิเมอร์กำลังก่อตัวเป็นโครงข่ายที่ทำให้เกิดข้อบกพร่อง

เหตุใดการเกี่ยวพันกันของพอลิเมอร์จึงทำให้เกิดข้อบกพร่อง

ระหว่างการล้างลวดลาย บริเวณที่ถูกแสงจะละลาย ส่วนบริเวณที่ไม่ถูกแสงจะยังคงอยู่เพื่อปกป้องฟิล์มด้านล่าง สายพอลิเมอร์ที่เกี่ยวพันกันและพาดผ่านทั้งสองบริเวณอาจทิ้งชั้นบาง ๆ ไว้หลังการล้างลวดลาย ซึ่งเป็นข้อบกพร่องที่มักเรียกว่า scumming ในร่องลึกและรูสัมผัส จุดที่สายพอลิเมอร์พันกันอาจติดค้างและทนต่อการชะล้าง ทำให้เกิดคราบตกค้างที่รบกวนการกัดลายหรือการเคลือบโลหะในภายหลัง ปัญหาเหล่านี้เป็นสาเหตุสำคัญที่ทำให้อัตราผลผลิตลดลง เพราะเพิ่มความขรุขระของขอบลาย ทำให้เกิดสะพานเชื่อมขนาดเล็กระหว่างสาย และบังคับให้ต้องนำเวเฟอร์กลับไปแก้ไข หากลวดลายได้รับผลกระทบมากเกินไป เวเฟอร์ก็ต้องถูกทิ้ง ยิ่งโครงสร้างมีขนาดเล็ก ปัญหายิ่งรุนแรง เพราะวัสดุส่วนเกินเพียงไม่กี่นาโนเมตรก็อาจปิดช่องว่างหรือเปลี่ยนขนาดสำคัญของลวดลายได้

สิ่งนี้อาจเปลี่ยนอัตราผลผลิตในการผลิตโหนดขั้นสูงได้อย่างไร

อัตราผลผลิตหมายถึงสัดส่วนของชิปที่ดีซึ่งผ่านกระบวนการผลิตจนเสร็จ เทียบกับไดทั้งหมดที่สร้างลวดลายไว้บนเวเฟอร์ ที่ระดับ 7 นาโนเมตรและต่ำกว่า ระบบบนชิปสมัยใหม่อาจมีทรานซิสเตอร์หลายหมื่นล้านตัวและต้องผ่านกระบวนการหลายร้อยขั้น ข้อบกพร่องแบบสุ่มสะสมได้อย่างรวดเร็ว หากการปรับโฟโตรีซิสต์ช่วยกำจัดแหล่งคราบตกค้างที่พบบ่อยในหลายชั้น ผลที่ได้จะทวีคูณตลอดกระบวนการผลิต และอาจเพิ่มอัตราผลผลิตขั้นสุดท้ายได้หลายจุดเปอร์เซ็นต์ ซึ่งถือเป็นการปรับปรุงต้นทุนต่อไดที่ดีอย่างมีนัยสำคัญในเชิงเศรษฐศาสตร์ของธุรกิจรับจ้างผลิตชิป

พฤติกรรมของโฟโตรีซิสต์ส่งผลมากกว่าขั้นตอนฉายแสงและล้างลวดลาย การเลือกกัดลาย ความเสียหายจากพลาสมา และการทำความสะอาดแบบเปียก ล้วนขึ้นอยู่กับการก่อตัวและการสลายตัวของโครงข่ายพอลิเมอร์ ทีมวิจัยระบุว่า การควบคุมรอยต่อแบบเดียวกับที่ช่วยลดคราบตกค้างในการพิมพ์ลายด้วยแสง ยังลดการส่งต่อข้อบกพร่องไปยังขั้นตอนกัดลายและทำความสะอาดได้ด้วย ซึ่งจะช่วยรักษาขนาดสำคัญของลวดลายและลดความขรุขระของสาย ส่งผลให้ความแปรปรวนและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ดีขึ้น

ลดรอบการแก้ไข เพิ่มไดที่ใช้งานได้ต่อเวเฟอร์

โรงงานรับจ้างผลิตชิปมักนำเวเฟอร์กลับไปผ่านกระบวนการทำความสะอาดหรือเทคนิคซ่อมแซมเพื่อกู้คืนอัตราผลผลิต แต่ละรอบเพิ่มเวลา ต้นทุน และความเสี่ยง หากคราบตกค้างลดลง 99 เปอร์เซ็นต์ ความจำเป็นในการเพิ่มขั้นตอนก็จะลดลง ช่วยเพิ่มเวลาว่างของเครื่องมือ ลดระยะเวลาการผลิต และลดการใช้สารเคมี สำหรับลูกค้า ข้อบกพร่องแฝงที่น้อยลงหมายถึงความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้นระหว่างการทดสอบเร่งอายุและการใช้งานจริง สำหรับนักออกแบบชิป การกระจายตัวของความกว้างสายและจุดสัมผัสที่แคบลงช่วยให้คาดการณ์เวลาและการใช้พลังงานได้แม่นยำขึ้น

บทบาทของงานนี้ในยุทธศาสตร์ชิปของจีน

วัสดุและการพิมพ์ลายด้วยแสงเป็นหัวใจของความพยายามลดการพึ่งพาซัพพลายเออร์ต่างชาติของจีน โฟโตรีซิสต์เป็นจุดอ่อนที่เห็นได้ชัด ผู้ผลิตในประเทศมีความก้าวหน้าในผลิตภัณฑ์ระดับกลางสำหรับเครื่องมือ KrF และ ArF แต่ผลิตภัณฑ์ระดับสูงยังคงถูกครองตลาดโดยบริษัทในญี่ปุ่น สหรัฐฯ และเกาหลีใต้ การประเมินของอุตสาหกรรมระบุว่า ตลาดโฟโตรีซิสต์จีนมีมูลค่าราว 11,400 ล้านหยวนในปี 2024 และคาดว่าจะเติบโตต่อเนื่องในปี 2025 ส่วนความต้องการโฟโตรีซิสต์ทั่วโลกมีมูลค่าเกือบ 2,700 ล้านดอลลาร์เมื่อปีที่แล้ว และอาจเพิ่มขึ้นเป็น 4,500 ล้านดอลลาร์ภายในปี 2031 สะท้อนจำนวนชั้นวงจรที่เพิ่มขึ้นและกฎการออกแบบที่เข้มงวดขึ้น

ผู้กำหนดนโยบายตั้งเป้าสนับสนุนวัสดุในรอบการระดมทุนล่าสุดของกองทุนการลงทุนอุตสาหกรรมวงจรรวมแห่งชาติ นักวิเคราะห์รายงานว่า กองทุนระยะที่ 3 จัดสรรเงินมากกว่า 50,000 ล้านหยวนให้กับสารเคมี โฟโตรีซิสต์ และกระบวนการที่เกี่ยวข้อง ควบคู่กับการลงทุนในเครื่องมือและอุปกรณ์ การกำหนดมาตรฐานร่วมกันเป็นส่วนหนึ่งของความพยายามนี้ สำนักงานบริหารมาตรฐานแห่งชาติจีนออกข้อกำหนดการทดสอบระดับชาติสำหรับโฟโตรีซิสต์รังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้ว วิธีทดสอบร่วมกันช่วยให้มหาวิทยาลัยและบริษัทต่าง ๆ เปรียบเทียบผล คัดเลือกซัพพลายเออร์ และเตรียมการผลิตนำร่องได้

มหาวิทยาลัยและบริษัทเร่งพัฒนาวัสดุใหม่

มหาวิทยาลัยและสตาร์ตอัปของจีนกำลังพัฒนาเคมีภัณฑ์ชนิดใหม่สำหรับยุครังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วเช่นกัน ทีมจากมหาวิทยาลัยชิงหวารายงานในเดือนกรกฎาคมเกี่ยวกับโฟโตรีซิสต์พอลิเทลลูออกเซน ซึ่งนำอะตอมเทลลูเรียมมาเป็นส่วนหนึ่งของโครงกระดูกพอลิเมอร์เพื่อเพิ่มการดูดกลืนแสงที่ความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร พันธะ Te O แตกตัวได้ง่ายขึ้นเมื่อได้รับแสง ซึ่งอาจเพิ่มความไวต่อแสง ขณะเดียวกันก็รักษาน้ำหนักโมเลกุลให้ต่ำเพื่อปรับปรุงความละเอียด หากขยายการผลิตวัสดุนี้ได้ ก็อาจเป็นแนวทางในประเทศสำหรับการพิมพ์ลายด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้ว ที่ให้สมดุลระหว่างความไว ความขรุขระของสาย และการระเหยออกของก๊าซได้ดีขึ้น

ในภาคธุรกิจ หน่วยงานด้านวัสดุของ SiCarrier นำเสนอโฟโตรีซิสต์แบบคลัสเตอร์โลหะ ซึ่งเอกสารสิทธิบัตรระบุว่ามีพื้นฐานจากคลัสเตอร์ดีบุกออกไซด์ และอ้างว่าสามารถพิมพ์ลายได้ตั้งแต่ 3 ถึง 50 นาโนเมตร ข้ออ้างเหล่านี้ยังต้องผ่านการตรวจสอบอย่างเป็นอิสระในสายการผลิตของโรงงานรับจ้างผลิตชิป แต่ก็สะท้อนแนวโน้มที่กว้างขึ้น บริษัทจีนกำลังก้าวเข้าสู่การแข่งขันด้านโฟโตรีซิสต์ ขณะที่ผู้ผลิตเครื่องมือขยายทางเลือกด้านการพิมพ์ลายในประเทศ บริษัทแยกตัวแห่งใหม่จาก Shanghai Micro Electronics Equipment จัดแสดงเครื่องฉายลายสำหรับเซมิคอนดักเตอร์แบบสารประกอบ ระบบอบอ่อนด้วยเลเซอร์ และอุปกรณ์ตรวจสอบ จีนยังเข้าไม่ถึงเครื่องสแกนรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วขั้นสูงจาก ASML แต่ระบบนิเวศในประเทศกำลังเดินหน้าเติมเต็มช่องว่างด้านวัสดุ การวัดมาตรวิทยา และซอฟต์แวร์ออกแบบ

ความก้าวหน้านี้คืออะไร และไม่ใช่อะไร

ผลการศึกษาของมหาวิทยาลัยปักกิ่งมุ่งแก้ปัญหาเฉพาะเรื่องอย่างมาก นั่นคือพฤติกรรมของพอลิเมอร์โฟโตรีซิสต์ในฟิล์มของเหลวและบริเวณรอยต่อกับอากาศระหว่างการล้างลวดลายและการชะล้าง ทีมวิจัยเสนอวิธีลดแหล่งปนเปื้อนที่พบได้บ่อย ด้วยการถ่ายภาพโครงสร้างเหล่านี้โดยตรงและปรับเปลี่ยนวิธีการก่อตัวของมัน ความก้าวหน้านี้มีคุณค่าเพราะช่วยลดเวลาปรับแต่งกระบวนการและลดการลองผิดลองถูก ซึ่งเป็นสาเหตุสำคัญที่ทำให้การนำโหนดใหม่เข้าสู่โรงงานล่าช้าอยู่เสมอ

งานนี้ไม่ได้ทดแทนเครื่องสแกน หน้ากาก และโฟโตรีซิสต์ล้ำสมัยที่จำเป็นต่อการสร้างลวดลายขนาดเล็กที่สุด การพิมพ์ลายด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วยังมีความท้าทายอื่นนอกเหนือจากคราบตกค้าง แหล่งกำเนิดแสงมีความสว่างจำกัด สัญญาณรบกวนจากจำนวนโฟตอนทำให้ขอบสายเกิดความแปรปรวนแบบสุ่ม และโฟโตรีซิสต์ต้องรักษาสมดุลระหว่างความไวกับความขรุขระของสายและการยุบตัวของลวดลาย หน้ากากต้องใช้ฟิล์มป้องกันที่ทนต่อแสงพลังงานสูง และการควบคุมการปนเปื้อนก็ทำได้ยาก การควบคุมรอยต่อจะช่วยได้ แต่โรงงานจีนยังคงถูกจำกัดด้วยเครื่องมือที่สามารถจัดซื้อและผลิตได้

ข้ออ้างต่าง ๆ ยังต้องได้รับการตรวจสอบในวงกว้าง การลดลง 99 เปอร์เซ็นต์ที่วัดได้ในสภาพแวดล้อมหนึ่งอาจใช้ไม่ได้กับโฟโตรีซิสต์ทุกชนิดหรือทุกชั้นลวดลาย ความหนาแน่นของลวดลายที่ต่างกัน น้ำยาล้าง สารชะล้าง และเคมีภัณฑ์กัดลาย ล้วนมีปฏิสัมพันธ์กันอย่างซับซ้อน ขั้นต่อไปคือการทำซ้ำผลในโรงงานและกระบวนการหลายแห่ง พร้อมข้อมูลระดับอุปกรณ์ที่เชื่อมโยงการลดคราบตกค้างเข้ากับอัตราผลผลิตขั้นสุดท้ายและความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น

ขั้นต่อไปสำหรับงานวิจัยและอุตสาหกรรม

มีหลักหมายหลายข้อที่จะชี้ให้เห็นว่าความก้าวหน้านี้เปลี่ยนการผลิตจริงได้หรือไม่ ประการแรก โรงงานและผู้จัดหาวัสดุที่เป็นอิสระสามารถทดสอบระเบียบวิธีนี้กับกระบวนการ ArF immersion และชุดกระบวนการรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วแบบแห้งที่ใช้กันทั่วไป พร้อมเผยแพร่ช่วงการทำงานของกระบวนการ ประการที่สอง โรงงานรับจ้างผลิตชิปสามารถรายงานว่าปริมาณงานแก้ไขลดลงเท่าใด และความขรุขระของขอบสายกับความแปรปรวนของขนาดสำคัญดีขึ้นเพียงใดเมื่อนำวิธีนี้ไปใช้กับชั้นลวดลายสำคัญ ประการที่สาม ผู้จำหน่ายอุปกรณ์และสารเคมีสามารถเสนอการตั้งค่าเครื่องมือและสูตรสารเคมีที่ผนวกการควบคุมรอยต่อไว้ในสูตรกระบวนการสำเร็จรูป ซึ่งลูกค้านำไปใช้ได้โดยไม่ต้องเปลี่ยนแปลงมาก

สัญญาณด้านนโยบายในจีนบ่งชี้ว่าจะมีการลงทุนต่อเนื่องในวัสดุโฟโตรีซิสต์ มาตรฐานทดสอบระดับชาติสำหรับโฟโตรีซิสต์รังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วน่าจะช่วยให้เปรียบเทียบประสิทธิภาพและรับรองล็อตการผลิตได้ง่ายขึ้น โครงการในมหาวิทยาลัย รวมถึงงานของมหาวิทยาลัยชิงหวาเกี่ยวกับพอลิเมอร์ที่มีเทลลูเรียมเป็นองค์ประกอบ จะช่วยรักษาความต่อเนื่องในการพัฒนาบุคลากร บริษัทต่าง ๆ เริ่มจัดแสดงเครื่องสแกน ระบบตรวจสอบ และโฟโตรีซิสต์ชนิดใหม่ในเวทีสาธารณะ ซึ่งบ่งชี้ว่าโครงการนำร่องเพิ่มเติมกำลังจะเกิดขึ้น นอกประเทศจีน โครงการที่รัฐบาลสนับสนุนในสหรัฐฯ ยุโรป ญี่ปุ่น และเกาหลีใต้ กำลังอัดฉีดเงินหลายพันล้านดอลลาร์เข้าสู่งานวิจัยชิป การแข่งขันด้านวิทยาศาสตร์โฟโตรีซิสต์มีแนวโน้มเข้มข้นขึ้น ขณะที่แต่ละภูมิภาคพยายามควบคุมวัสดุในห่วงโซ่การผลิตให้ได้มากขึ้น

ประเด็นสำคัญ

• มหาวิทยาลัยปักกิ่งและพันธมิตรใช้เอกซเรย์คอมพิวเตอร์ด้วยอิเล็กตรอนแบบแช่แข็งถ่ายภาพโมเลกุลโฟโตรีซิสต์ในฟิล์มของเหลวและบริเวณรอยต่อ จากนั้นออกแบบกระบวนการที่ทีมวิจัยระบุว่าลดคราบพอลิเมอร์บนเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วได้สูงสุด 99 เปอร์เซ็นต์
• งานวิจัยเผยแพร่ในวารสาร Nature Communications เมื่อวันที่ 30 กันยายน 2025 และมุ่งแก้ปัญหาการสูญเสียผลผลิตที่โหนดขนาด 7 นาโนเมตรและเล็กกว่า ซึ่งคราบตกค้างขนาดเล็กอาจทำให้ไดเสียได้
• จีนยังพึ่งพาการนำเข้าโฟโตรีซิสต์ระดับสูง และเข้าไม่ถึงเครื่องสแกนรังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วขั้นสูงจาก ASML เนื่องจากมาตรการควบคุมการส่งออก
• จีนสนับสนุนวัสดุผ่านเงินทุนและมาตรฐาน รวมถึงข้อกำหนดการทดสอบระดับชาติฉบับใหม่สำหรับโฟโตรีซิสต์รังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้ว
• มหาวิทยาลัยชิงหวารายงานการพัฒนาโฟโตรีซิสต์รังสีอัลตราไวโอเลตสุดขั้วที่มีเทลลูเรียมเป็นองค์ประกอบ ขณะที่บริษัทจีนจัดแสดงโฟโตรีซิสต์แบบคลัสเตอร์โลหะและเครื่องมือพิมพ์ลายในประเทศ แม้ข้ออ้างหลายประการยังต้องผ่านการตรวจสอบอย่างเป็นอิสระ
• ความก้าวหน้านี้ช่วยให้เข้าใจและควบคุมพฤติกรรมของโฟโตรีซิสต์บริเวณรอยต่อได้ดีขึ้น แต่ไม่ได้ทดแทนความจำเป็นในการใช้เครื่องสแกน หน้ากาก และโฟโตรีซิสต์รุ่นใหม่ขั้นสูง