ความก้าวหน้าชิปหน่วยความจำของ CXMT สะเทือนตลาดหุ้นทั่วโลก นักลงทุนทบทวนความท้าทายจากจีน

เซลล์หน่วยความจำที่เล็กลงจุดชนวนแรงเทขายทั่วโลก

บริษัท ChangXin Memory Technologies ของจีนวางแผนเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์รุ่นใหม่ก่อนสิ้นปี 2026 โดยใช้สถาปัตยกรรมที่อาจเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้ราว 30% การประกาศดังกล่าวฉุดราคาหุ้นผู้ผลิตชิปรายใหญ่ที่อยู่ในตลาดมานานให้ร่วงลงอย่างหนัก แม้การพัฒนาแบบดังกล่าวให้พร้อมผลิตจำนวนมากได้อย่างน่าเชื่อถือยังต้องทำงานต่ออีกมาก

เฉา คานอวี่ ประธาน CXMT เปิดเผยความคืบหน้าดังกล่าวในการประชุมอุตสาหกรรมที่นครเซี่ยงไฮ้เมื่อวันที่ 10 ตุลาคม บริษัทกำลังพัฒนาการออกแบบที่เรียกว่า 4F² ซึ่งลดพื้นที่ที่เซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ใช้ลง ผลิตภัณฑ์ที่วางแผนไว้จะมุ่งเป้าไปยังเซิร์ฟเวอร์ในศูนย์ข้อมูล ทำให้แข่งขันโดยตรงกับ Samsung Electronics, SK Hynix และ Micron Technology มากขึ้น

วันที่ 13 ตุลาคม หุ้น SK Hynix ปิดลดลงราว 10% และ Samsung ร่วง 7.4% โดยทั้งคู่แตะระดับต่ำสุดนับตั้งแต่เดือนสิงหาคม ดัชนี Kospi ของเกาหลีใต้ลดลง 5.5% ส่วน Micron ร่วง 3.62% ในการซื้อขายวันอังคาร หลังจากลดลงราว 3.9% ในวันจันทร์

แรงกระเพื่อมแผ่ไปยังซัพพลายเออร์อุปกรณ์ผลิตชิป บริษัทจัดเก็บข้อมูล และหุ้นเทคโนโลยีอื่น ๆ นักลงทุนกำลังประเมินใหม่ว่าผู้ผลิตจีนจะท้าทายธุรกิจที่ได้ประโยชน์จากความต้องการประมวลผลปัญญาประดิษฐ์ได้รวดเร็วเพียงใด

เป้าหมายเฉพาะหน้าได้แก่หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ทั่วไป ส่วนหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง หรือ HBM ซึ่งเป็นหน่วยความจำเฉพาะทางที่ใช้ร่วมกับโปรเซสเซอร์ AI ประสิทธิภาพสูง ยังคงเป็นจุดแข็งของคู่แข่งรายใหญ่ที่อยู่ในตลาดมานาน บททดสอบเชิงพาณิชย์ของ CXMT คือการผลิตชิปที่เชื่อถือได้ในปริมาณมากพอและมีต้นทุนแข่งขันได้

4F² หมายถึงอะไรในภาษาทั่วไป

DRAM ย่อมาจาก dynamic random-access memory ทำหน้าที่เก็บข้อมูลที่คอมพิวเตอร์กำลังใช้งานอยู่ เซิร์ฟเวอร์ต้องใช้หน่วยความจำชั่วคราวนี้เพื่อเก็บข้อมูลไว้ใกล้กับโปรเซสเซอร์ระหว่างประมวลผลงาน ชิปแต่ละตัวประกอบด้วยเซลล์หน่วยความจำขนาดเล็กจำนวนมหาศาล

ผังการจัดวาง 6F² ที่ใช้กันทั่วไปในอุตสาหกรรมกำหนดให้เซลล์แต่ละเซลล์มีพื้นที่เท่ากับหกเท่าของกำลังสองของขนาดคุณลักษณะขั้นต่ำ ซึ่งแทนด้วย F ส่วนผัง 4F² ลดพื้นที่ดังกล่าวเหลือสี่เท่าของกำลังสองค่าเดียวกัน หากขนาดคุณลักษณะไม่เปลี่ยน เซลล์จะใช้พื้นที่น้อยลงราวหนึ่งในสาม

เซลล์ที่เล็กลงอาจทำให้เก็บข้อมูลบนชิปได้มากขึ้น อย่างไรก็ตาม ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นของผลิตภัณฑ์ทั้งชิ้นยังขึ้นอยู่กับพื้นที่ของวงจรส่วนอื่นและวิธีการผลิต จิง เจี๋ย อวี่ นักวิเคราะห์จาก Morningstar ประเมินว่าหากนำสถาปัตยกรรมของ CXMT ไปใช้เชิงพาณิชย์ได้สำเร็จ ความหนาแน่นของหน่วยความจำอาจเพิ่มขึ้น 30%

จาง เสี่ยวลู่ รองผู้อำนวยการบริษัทที่ปรึกษา CIC ประเมินว่า จำนวนบิตที่ผลิตได้ต่อแผ่นเวเฟอร์อาจเพิ่มขึ้น 30% ถึง 50% พร้อมกับลดพื้นที่ของเซลล์แต่ละเซลล์ลงราว 33% ตัวเลขเหล่านี้สะท้อนศักยภาพของการออกแบบ ไม่ใช่ผลผลิตที่วัดได้จากการผลิตจำนวนมากที่ดำเนินการอย่างเต็มรูปแบบแล้ว

Samsung และ SK Hynix ก็กำลังศึกษาแบบ 4F² เช่นกัน โดย SK Hynix นำเสนอแผนพัฒนาในปี 2025 ช่วงเวลาที่ CXMT เสนอว่าจะเริ่มนำผลิตภัณฑ์ออกสู่ตลาดจึงเป็นประเด็นอ่อนไหวสำหรับนักลงทุนที่กำลังประเมินความได้เปรียบทางเทคโนโลยีของซัพพลายเออร์รายเดิม

CXMT กำลังปรับเปลี่ยนกระบวนการผลิตอย่างไร

เฉาอธิบายแนวทางที่เรียกว่า Vertical Surrounding Gate หรือ VSG ซึ่งปรับการจัดวางทรานซิสเตอร์ที่ควบคุมเซลล์หน่วยความจำ บริษัทคาดว่าโครงสร้างนี้จะช่วยลดกระแสไฟฟ้ารั่วและปัญหาอื่น ๆ ที่จัดการได้ยากขึ้นเมื่อเซลล์มีขนาดเล็กลง

กระแสไฟฟ้ารั่วหมายถึงกระแสไฟไหลออกไปยังจุดที่ไม่ต้องการ ในชิปหน่วยความจำ การควบคุมกระแสดังกล่าวช่วยให้เซลล์เก็บข้อมูลได้อย่างน่าเชื่อถือ พร้อมจำกัดการสูญเสียพลังงาน การออกแบบให้เล็กลงจะมีประโยชน์ก็ต่อเมื่อเซลล์ยังทำงานได้อย่างสม่ำเสมอ

CXMT ยังมีแผนผลิตเซลล์หน่วยความจำและวงจรประกอบบนเวเฟอร์ซิลิคอนแยกกัน ก่อนนำมาเชื่อมต่อด้วยเทคโนโลยีไฮบริดบอนดิง วงจรประกอบทำหน้าที่ต่าง ๆ เช่น เลือกเซลล์และรับส่งข้อมูลเข้าออก ส่วนไฮบริดบอนดิงเชื่อมชิ้นส่วนที่ผลิตแยกกันผ่านจุดเชื่อมต่อทางไฟฟ้าและกายภาพที่แม่นยำสูง

เฉากล่าวว่าการแยกขั้นตอนการผลิตดังกล่าวเป็นหัวใจสำคัญของแนวทางบริษัท จางกล่าวว่าการใช้ VSG ร่วมกับการเชื่อมต่อในระดับเวเฟอร์อาจเพิ่มความหนาแน่นได้โดยไม่ต้องพึ่งพาการพิมพ์ลายด้วยแสงอัลตราไวโอเลตระดับสุดขีด หรือ EUV ซึ่งเป็นเทคโนโลยีขั้นสูงสำหรับพิมพ์ลวดลายขนาดเล็กบนชิป

การเปิดตัวเป็นเพียงจุดเริ่มต้นของบททดสอบการผลิตที่ยาวนาน

คาดว่า CXMT จะเปิดตัว DDR5 RDIMM ที่ใช้สถาปัตยกรรมใหม่นี้ภายในสิ้นปี 2026 DDR5 คือหน่วยความจำคอมพิวเตอร์รุ่นหนึ่ง ส่วน RDIMM เป็นโมดูลหน่วยความจำที่ใช้กันทั่วไปในเซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ต้องทำงานได้อย่างน่าเชื่อถือกับเครื่องและระบบที่ลูกค้าใช้งานอยู่แล้ว

อัตราผลผลิตที่ใช้งานได้ ซึ่งหมายถึงสัดส่วนชิปที่ผลิตแล้วทำงานได้ดีพอสำหรับจำหน่าย ยังไม่ชัดเจน เฉาไม่ได้เปิดเผยตัวเลขอัตราผลผลิตโดยละเอียดหรือกำหนดการส่งมอบเชิงพาณิชย์ในปริมาณมากอย่างแน่นอน กระบวนการที่ผลิตชำรุดจำนวนมากอาจมีต้นทุนสูง แม้การออกแบบพื้นฐานจะมีแนวโน้มที่ดีก็ตาม

จิง เจี๋ย อวี่ นักวิเคราะห์จาก Morningstar กล่าวถึงทั้งโอกาสในการแข่งขันและความท้าทายด้านการผลิตว่า:

หากนำสถาปัตยกรรม 4F² ไปใช้ผลิต DRAM ได้สำเร็จและเร็วกว่าคู่แข่ง ก็จะช่วยยกระดับความสามารถในการแข่งขันของ CXMT ได้อย่างมาก

อวี่ยังคาดว่าจะมีช่วงเวลาห่างกันพอสมควรระหว่างการเปิดตัวผลิตภัณฑ์กับการผลิตเชิงพาณิชย์ที่ได้อัตราผลผลิตคุ้มค่า โดยชี้ว่าการรักษาผลลัพธ์ให้สม่ำเสมอในการผลิตจำนวนมากเป็นเรื่องยาก

จางกล่าวว่า โดยทั่วไปการทดสอบรับรองหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ใช้เวลา 18 ถึง 24 เดือน ในช่วงดังกล่าว ลูกค้าจะตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ผ่านข้อกำหนดที่เข้มงวดด้านความเข้ากันได้ ความน่าเชื่อถือ และการทำงานหรือไม่ ดังนั้นการเปิดตัวผลิตภัณฑ์จึงเป็นจุดเริ่มต้นของการทดสอบและการนำไปใช้ในขั้นต่อไป ก่อนที่จะขยายการใช้งานในวงกว้าง

เหตุใดแรงเทขายจึงลามไปไกลกว่าผู้ผลิตหน่วยความจำ

หุ้น SoftBank Group ของญี่ปุ่นลดลง 8.5% Tokyo Electron ผู้ผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ร่วง 7.2% และ Advantest ผู้ผลิตอุปกรณ์ทดสอบลดลง 2.9% ดัชนี Nikkei 225 ร่วง 1.8% แสดงให้เห็นว่าแรงเทขายไม่ได้จำกัดอยู่แค่บริษัทที่แข่งขันกับ CXMT โดยตรง

หุ้นยุโรปก็ปรับตัวลงเช่นกัน ASML ลดลง 3.3% ขณะที่ STMicroelectronics และ Infineon ต่างร่วงราว 5% ส่วนบริษัทจัดเก็บข้อมูล SanDisk, Seagate และ Western Digital ก็ปรับตัวลดลงเช่นกัน ด้าน CXMT ปิดตลาดเซี่ยงไฮ้ในวันอังคารลดลง 2.8%

แรงเทขายเกิดขึ้นหลังตลาดสหรัฐฯ อ่อนตัวอยู่แล้วในวันจันทร์ โดยดัชนี Nasdaq Composite ลดลง 0.44% เวย์-เซิร์น หลิง ที่ปรึกษาด้านหุ้นอาวุโสของ Union Bancaire Privee กล่าวว่า นักลงทุนกำลังขายทำกำไรหุ้น AI ที่ปรับตัวขึ้นอย่างแข็งแกร่ง โดยเฉพาะหุ้นบริษัทหน่วยความจำ

ฟิลลิป วูล หัวหน้านักกลยุทธ์ตลาดของ Rayliant Global Advisors มองว่าแรงเทขายรุนแรงเกินกว่าภัยคุกคามด้านการแข่งขันในระยะใกล้ โดยชี้ว่า CXMT ยังต้องทำงานอีกมากก่อนจะผลิตการออกแบบใหม่นี้ได้ในปริมาณมาก

การซื้อขายในวันถัดมาแสดงให้เห็นว่าหุ้น SK Hynix ปรับลงน้อยกว่า โดยร่วง 1.66% ในวันที่ 14 ตุลาคม นักลงทุนกำลังชั่งน้ำหนักการเปลี่ยนแปลงการแข่งขันที่อาจเกิดขึ้นในระยะยาว กับกระบวนการใช้งานจริงที่ช้ากว่ามาก ทั้งการรับรองชิปและการขยายกำลังผลิต

เหตุใด HBM จึงเป็นการแข่งขันอีกแบบหนึ่ง

HBM รับส่งข้อมูลปริมาณมากระหว่างหน่วยความจำกับโปรเซสเซอร์ได้อย่างรวดเร็ว หน่วยความจำชนิดนี้มีคุณค่าเป็นพิเศษในระบบ AI เพราะโปรเซสเซอร์ประสิทธิภาพสูงต้องได้รับข้อมูลอย่างต่อเนื่องเพื่อไม่ให้หยุดรอ การผลิตต้องผ่านกระบวนการผลิต การซ้อนชั้น และการบรรจุหีบห่อที่ซับซ้อน

ผลิตภัณฑ์ DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ CXMT เสนอมีเป้าหมายตอบสนองความต้องการหน่วยความจำอีกส่วนหนึ่งของศูนย์ข้อมูล หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ทั่วไปสนับสนุนการทำงานของระบบโดยรวม ส่วน HBM ช่วยให้โปรเซสเซอร์ที่ต้องการประสิทธิภาพสูง เช่น ตัวเร่งประมวลผล AI ของ Nvidia เข้าถึงข้อมูลได้อย่างรวดเร็วเป็นพิเศษ

วูลกล่าวถึงสถานะของซัพพลายเออร์รายใหญ่ในตลาด HBM ว่า:

ที่สำคัญกว่านั้น เราไม่ได้พูดถึง HBM ด้วยซ้ำ และผู้ผลิตชิปเกาหลีใต้ยังครองตลาดส่วนนี้อย่างไม่มีข้อกังขา โดยในอนาคตอันใกล้แทบไม่มีภัยคุกคามจาก CXMT หรือรายอื่น ๆ เลย

จางกล่าวว่า ผู้ผลิตรายใหญ่ในต่างประเทศทุ่มกำลังการผลิตไปที่ HBM3e และ HBM4 ขณะที่อุปทาน DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ทั่วไปยังตึงตัว จึงอาจเป็นโอกาสสำหรับซัพพลายเออร์รายอื่นที่เชื่อถือได้ โดยเฉพาะลูกค้าในจีนที่ต้องการแหล่งจัดหาภายในประเทศ

หลิงก็มองเห็นความแตกต่างระหว่างความท้าทายด้านการแข่งขันในระยะยาวกับความสามารถในการผลิตในปัจจุบัน เขากล่าวว่า บริษัทหน่วยความจำจีนอาจส่งผลต่อสมดุลอุปสงค์และอุปทานเมื่อเวลาผ่านไป แต่ในระยะสั้นยังต้องเผชิญปัญหาด้านเทคโนโลยี

ส่วนแบ่งตลาดที่เพิ่มขึ้นกับกำหนดการพัฒนาที่อัดแน่น

Counterpoint Research ประเมินว่าส่วนแบ่งรายได้ DRAM ทั่วโลกของ CXMT เพิ่มจาก 4% ในไตรมาส 2 ปี 2025 เป็น 10% ในไตรมาส 2 ปี 2026 ทำให้บริษัทเป็นผู้ผลิต DRAM รายใหญ่อันดับสี่ของโลก ขณะที่ผลวิเคราะห์ของ HSBC ก็ประเมินส่วนแบ่งของบริษัทไว้ราว 10% เพิ่มจากประมาณ 4% ในปีก่อน

การเพิ่มขึ้นดังกล่าวเท่ากับ 6 จุดเปอร์เซ็นต์ หรือ 2.5 เท่าของส่วนแบ่งเดิม ทำให้ CXMT มีฐานธุรกิจเชิงพาณิชย์ที่เติบโตขึ้นในระหว่างพัฒนาสถาปัตยกรรมรุ่นถัดไป บริษัทยังกำลังเดินหน้าพัฒนาหน่วยความจำสมาร์ตโฟน LPDDR6 ตามกรอบเวลาที่ใกล้เคียงกับ Samsung และ SK Hynix

ประกาศล่าสุดของ CXMT แสดงให้เห็นว่าโครงการหลายรายการกำลังเดินหน้าไปพร้อมกัน:

• 20 กันยายน 2026: บริษัทประกาศเริ่มผลิตจำนวนมากบนแพลตฟอร์มกระบวนการ DRAM รุ่นที่ห้า ซึ่งเรียกว่า G5 และเปิดตัวหน่วยความจำ LPDDR5X ความจุสูง
• 28 กันยายน 2026: บริษัทประกาศแผนลงทุน 24,100 ล้านหยวนในโครงการวิจัยและพัฒนา และ 10,800 ล้านหยวนในฐานทดสอบระยะที่สอง
• 10 ตุลาคม 2026: เฉานำเสนอความคืบหน้าด้านอุปกรณ์ DRAM สถาปัตยกรรม 4F² และไฮบริดบอนดิงที่นครเซี่ยงไฮ้
• ภายในสิ้นปี 2026: CXMT ตั้งเป้าเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์รุ่นใหม่

แพลตฟอร์ม G5 ใช้การฉายแสงสี่ครั้งในระหว่างสร้างลวดลาย และมีระยะครึ่งพิทช์ของพื้นที่ใช้งาน 11.95 นาโนเมตร ซึ่งเป็นค่าที่ใช้วัดระยะห่างภายในอาร์เรย์หน่วยความจำ โครงการลงทุนทั้งสองรายการที่วางแผนไว้มีมูลค่ารวม 34,900 ล้านหยวน ครอบคลุมการพัฒนากระบวนการ การบรรจุหีบห่อ การทดสอบ และการประกอบโมดูล

มาตรการควบคุมการส่งออกกำหนดเส้นทางสู่การขยายธุรกิจ

CXMT ก่อตั้งในปี 2016 และมีสำนักงานใหญ่ในเมืองเหอเฝย โดยได้ประโยชน์จากตลาดอิเล็กทรอนิกส์ภายในประเทศจีนที่มีขนาดใหญ่ อย่างไรก็ตาม การเข้าถึงอุปกรณ์การผลิตขั้นสูงถูกจำกัดด้วยมาตรการควบคุมการส่งออก ซึ่งรวมถึงข้อจำกัดที่กระทบระบบ EUV ขั้นสูงที่สุดของ ASML

สถาปัตยกรรมที่เสนอใหม่นี้ให้น้ำหนักกับการจัดวางอุปกรณ์และการเชื่อมเวเฟอร์ที่ผลิตแยกกันมากขึ้น จางกล่าวว่าแนวทางนี้อาจเพิ่มความหนาแน่นได้โดยไม่ใช้ EUV และสร้างความต้องการอุปกรณ์กัดลาย การเคลือบ การเชื่อม และการขัดที่มีความแม่นยำสูง

คู่แข่งกำลังลงทุนตามกรอบเวลาในการจัดหาอุปกรณ์และการผลิตที่แตกต่างกัน ญี่ปุ่นให้คำมั่นสนับสนุนเงินสูงสุด 536,000 ล้านเยนสำหรับ การขยายโรงงานของ Micron ในฮิโรชิมา เพื่อสนับสนุนการพัฒนาและผลิต DRAM ขั้นสูง โดยตั้งเป้าเริ่มส่งมอบได้เร็วที่สุดในปี 2028 โครงการนี้รวมถึงอุปกรณ์ EUV และเครื่องมือการผลิตอื่น ๆ

การแข่งขันยังเกี่ยวข้องกับความตึงเครียดทางกฎหมายด้วย อัยการเกาหลีใต้ตั้งข้อหาบุคคล 10 คนในกรณี กล่าวหาว่ามีการรั่วไหลเทคโนโลยีของ Samsung ซึ่งเกี่ยวข้องกับองค์ความรู้ด้านการผลิตที่ระบุว่าถูกส่งต่อไปยัง CXMT อัยการกล่าวหาว่าข้อมูลที่ถ่ายโอนช่วยเร่งการผลิต DRAM ของบริษัทและสนับสนุนการพัฒนา HBM ข้อกล่าวหาดังกล่าวยังอยู่ระหว่างกระบวนการพิจารณาคดีอาญา

ลูกค้าและมูลค่าบริษัทเพิ่มเดิมพัน

การเข้าจดทะเบียนของ CXMT ในตลาด STAR Market ของเซี่ยงไฮ้เมื่อเดือนกรกฎาคมทำให้ราคาหุ้นพุ่งขึ้นเกือบ 466% ในวันแรก และทำให้บริษัทมีมูลค่าสูงที่สุดในบรรดาบริษัทที่จดทะเบียนในจีนแผ่นดินใหญ่ชั่วครู่ ต่อมาราคาหุ้นอยู่ต่ำกว่าราคาอ้างอิงในวันแรกที่ 49 หยวนราว 4%

บริษัทมีมูลค่าราว 3.46 ล้านล้านหยวน เทียบกับ Tencent ที่ 3.87 ล้านล้านหยวน ตัวเลขดังกล่าวทำให้มูลค่าของ CXMT อยู่ที่ราว 89% ของ Tencent สะท้อนความคาดหวังของนักลงทุนต่อผู้ผลิตหน่วยความจำที่เพิ่งก่อตั้งเมื่อสิบปีก่อน

การยอมรับจากลูกค้าจะเป็นตัวกำหนดว่าบริษัทจะขยายตลาดได้ไกลเพียงใด Apple กำลังทดสอบ DRAM ของ CXMT สำหรับอุปกรณ์ที่จำหน่ายในจีน และขออนุญาตจากรัฐบาลสหรัฐฯ เพื่อขยายการใช้งาน ยังไม่มีการเปิดเผยว่ามีข้อตกลงจัดหาที่เสร็จสมบูรณ์หรือได้รับอนุมัติให้ใช้งานในวงกว้างแล้ว

นักวิเคราะห์ Citi ระบุว่า การขายให้ศูนย์ข้อมูลในภูมิภาคต่าง ๆ เช่น ยุโรป อาจส่งผลกระทบต่อ Micron แม้ข้อจำกัดของสหรัฐฯ จะจำกัดการขายโดยตรงในตลาดอเมริกาก็ตาม ซัพพลายเออร์สามารถสร้างแรงกดดันด้านการแข่งขันผ่านลูกค้าในที่อื่น ซึ่งอาจเปลี่ยนทั้งผู้ผลิตที่ชนะคำสั่งซื้อและราคาที่เรียกเก็บได้

สำหรับผู้ให้บริการเซิร์ฟเวอร์ หาก CXMT ส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่เชื่อถือได้ในปริมาณเพียงพอ ก็จะมีแหล่งจัดหาหน่วยความจำทั่วไปเพิ่มขึ้น ส่วนผู้ผลิตรายเดิมต้องรักษาความได้เปรียบทางเทคนิค พร้อมแข่งขันทั้งในตลาด DRAM ทั่วไปและหน่วยความจำเฉพาะทาง หมุดหมายถัดไปคือการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ตามแผน การทดสอบรับรองจากลูกค้า และการผลิตที่มีเสถียรภาพ

ประเด็นสำคัญ

• CXMT ตั้งเป้าเปิดตัวหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้สถาปัตยกรรม 4F² ซึ่งมีความหนาแน่นสูงขึ้น ก่อนสิ้นปี 2026
• หุ้น SK Hynix ร่วงราว 10% และ Samsung ลดลง 7.4% ในวันที่ 13 ตุลาคม ขณะที่แรงเทขายแผ่ไปยังหุ้นเทคโนโลยีทั่วโลก
• การออกแบบนี้ผสานโครงสร้างทรานซิสเตอร์แนวตั้งเข้ากับเวเฟอร์ที่ผลิตแยกกันและเชื่อมต่อด้วยไฮบริดบอนดิง
• นักวิเคราะห์มองว่ามีโอกาสเพิ่มความหนาแน่นได้ แต่อัตราผลผลิตและการรับรองจากลูกค้าจะเป็นตัวกำหนดความคืบหน้าเชิงพาณิชย์
• Counterpoint ประเมินว่าส่วนแบ่งรายได้ DRAM ของ CXMT เพิ่มจาก 4% เป็น 10% ระหว่างไตรมาส 2 ปี 2025 กับไตรมาส 2 ปี 2026
• ผลิตภัณฑ์ที่วางแผนไว้เจาะตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ทั่วไป ขณะที่ผู้ผลิตรายใหญ่ยังได้เปรียบในตลาด HBM สำหรับระบบ AI